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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSY95 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| BSY95A | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| BSY95ALEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
|
| BSYP62 | ETC |
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BSYP62 - Tranzystor krzemowy |
|
| BSYP63 | ETC |
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BSYP63 - Tranzystor krzemowy |
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| BSZ009NE2LS5 | INFINEON |
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Infineon extends its’ high performance MOSFET |
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| BSZ010NE2LS5 | INFINEON |
获取价格 |
N-通道功率MOSFET |
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| BSZ011NE2LS5I | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| BSZ013NE2LS5I | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
|
| BSZ013NE2LS5I_15 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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