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BST50T/R

更新时间: 2024-09-17 20:50:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 123K
描述
TRANSISTOR 1000 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, SC-62, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

BST50T/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-89包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.2Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):2000JEDEC-95代码:TO-243AA
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHz最大关闭时间(toff):1500 ns
最大开启时间(吨):400 nsVCEsat-Max:1.3 V
Base Number Matches:1

BST50T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BST50; BST51; BST52  
NPN Darlington transistors  
Product data sheet  
2004 Dec 09  
Supersedes data of 2001 Feb 20  

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