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BST51TA

更新时间： 2024-11-21 19:53:15
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 12K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3 PIN

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BST51TA 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.13
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：2000JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

BST51TA 数据手册

  
SOT89 NPN SILICON PLANAR  
DARLINGTON TRANSISTOR  
BST51  
ISSUE 3 – J ANUARY 1996  
FEATURES  
*
*
Fast Switching  
High hFE  
C
PARTMAKING DETAIL —  
AS2  
E
C
B
SOT89  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
80  
V
V
Collector-Em itter Voltage  
Em itter-Base Voltage  
60  
10  
V
Pea Pulse Current  
1.5  
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
500  
m A  
m A  
W
IB  
100  
1
Power Dissipation at Tam b=25°C  
Operating and Storage Tem perature Range  
Ptot  
Tj:Tstg  
-65 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherw ise stated).  
am b  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
80  
60  
10  
IC=10µA, IE=0  
Collector-Em itter  
Breakdown Voltage  
V
V
IC=10m A, IB=0*  
Em itter-Base  
IE=10µA, IC=0  
Breakdown Voltage  
Em itter Cut-Off Current  
IEBO  
ICES  
10  
10  
VEB=8V, IE=0  
µA  
µA  
Collector-Em itter  
Cut-Off Current  
VCE=60V, IC=0  
Collector-Em itter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
1.3  
1.3  
V
V
IC=500m A, IB=0.5m A  
IC=500m A, IB=0.5m A  
Tj=150°C  
Base-Em itter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
hFE  
1.9  
V
IC=500m A, IB=0.5m A  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
1K  
2K  
IC=150m A, VCE=10V*  
IC=-500m A, VCE=-10V*  
Turn On Tim e  
Turn Off Tim e  
ton  
400 Typical  
1.5K Typical  
ns  
ns  
IC=500m A  
IBon=IBoff=0.5m A  
toff  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
Spice param eter data is available upon request for this device  
For typical graphs see FMMT38A datasheet  
3 - 79  
1

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