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BST39

更新时间: 2024-11-17 22:27:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 44K
描述
NPN high-voltage transistors

BST39 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-89
包装说明:PLASTIC, SC-62, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.16
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:2 pF集电极-发射极最大电压:350 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-243AAJESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

BST39 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BST39; BST40  
NPN high-voltage transistors  
1999 Apr 26  
Product specification  
Supersedes data of 1997 May 22  

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