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BST39TRL

更新时间: 2024-11-21 13:00:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 44K
描述
TRANSISTOR 1000 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

BST39TRL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.19最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:350 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):15 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

BST39TRL 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BST39; BST40  
NPN high-voltage transistors  
1999 Apr 26  
Product specification  
Supersedes data of 1997 May 22  

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