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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.64 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1500 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS5130A | ROHM |
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BSS5130A是采用SOT-23封装的晶体管，适用于低频放大。 |
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| BSS5130AHZG | ROHM |
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BSS5130AHZG是采用SOT-23封装的晶体管，适用于低频放大。并且是符合AEC-Q |
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| BSS51A | COMSET |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
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| BSS52 | NXP |
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NPN Darlington transistors |
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| BSS52 | CENTRAL |
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1A Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington |
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| BSS52A | COMSET |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
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| BSS59 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-18 |
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| BSS60 | PHILIPS |
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Transistor, |
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| BSS606N | INFINEON |
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Infineon technologies offers automotive and i |
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| BSS606NH6327 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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