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BSS62

更新时间： 2024-09-22 22:39:39

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BSS62 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.79
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	5 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	1500 ns
最大开启时间（吨）：	400 ns	VCEsat-Max：	1.6 V
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

M3D111

BSS61; BSS62

PNP Darlington transistors

1997 May 14

Product speciﬁcation

Supersedes data of September 1994

File under Discrete Semiconductors, SC04

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS62A	COMSET	获取价格	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BSS62T1	ETC	获取价格	MEDIUM POWER PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
BSS63	STMICROELECTRONICS	获取价格	SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR
BSS63	FAIRCHILD	获取价格	PNP General Purpose Amplifier
BSS63	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
BSS63	INFINEON	获取价格	PNP Silicon AF and Switching Transistors (For general AF applications High breakdown volta
BSS63	DIOTEC	获取价格	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BSS63	ZETEX	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BSS63	KEXIN	获取价格	PNP General Purpose Amplifier
BSS63	TYSEMI	获取价格	PNP general purpose amplifier Collector current IC 200 mA