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BSS63

更新时间： 2024-02-15 11:47:18

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体放大器晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	95K
描述
PNP general purpose amplifier Collector current IC 200 mA

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BSS63 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	0.25 V
Base Number Matches：	1

BSS63 数据手册

SMD Type

Transistors

Product specification

BSS63

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

PNP general purpose amplifier

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CE0

V^CBO

V^EBO

I^C

Rating

100

Unit

110

200

Junction temperature

Storage temperature

T^j

150

T^stg

-55 to +150

Total device dissipation

Derate above 25

350

2.8

P^D

mW/

Thermal resistance, junction to ambient

R^èJA

357

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

100

110

Typ

Max

Unit

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

V^(BR)CEOI^C= 100 ìA, I^B= 0

V^(BR)CBOI^C= 10 ìA, I^E= 0

V^(BR)EBOI^E= 1.0 ìA, I^C= 0

V^CB= 90 V, I^E= 0

100

ìA

Collector-cutoff current

ICBO

V^CB= 90 V, I^E= 0, T^A= 150

V^EB= 6.0 V, I^C= 0

Emitter-base cut-off current

DC current gain

I^EBO

h^FE

200

I^C= 10 mA, V^CE= 1.0 V

I^C= 25 mA, V^CE= 1.0 V

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Current gain - bandwidth product

VCE(sat) IC = 25 mA, IB = 2.5 mA

V^BE(sat)I^C= 25 mA, I^B= 2.5 mA

f^TI^C= 25 mA, V^CE= 5.0,f = 35 MHz

0.25

0.9

MHz

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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与BSS63相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS63,215	NXP	获取价格	BSS63 - PNP high-voltage transistor TO-236 3-Pin
BSS63A	ROHM	获取价格	BSS63A是采用SOT-23封装的晶体管，适用于高耐压放大。
BSS63AHZG	ROHM	获取价格	BSS63AHZG是采用SOT-23封装的晶体管，适用于高耐压放大。并且是符合AEC-Q1
BSS63D87Z	TI	获取价格	200mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BSS63E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BSS63E6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BSS63L	MOTOROLA	获取价格	100mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-07, 3 PIN
BSS63L99Z	TI	获取价格	200mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BSS63LT1	ROCHESTER	获取价格	100mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN
BSS63LT1	MOTOROLA	获取价格	High Voltage Transistor(PNP)

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