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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> BSS138LT3G
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BSS138LT3G

更新时间： 2024-01-16 14:31:09
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 83K
描述
Power MOSFET 200 mA, 50 V

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BSS138LT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：7 weeks风险等级：0.48
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.2 A最大漏极电流 (ID)：0.2 A
最大漏源导通电阻：3.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSS138LT3G 数据手册

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BSS138LT1  
Preferred Device  
Power MOSFET  
200 mA, 50 V  
N−Channel SOT−23  
Typical applications are DC−DC converters, power management in  
portable and battery−powered products such as computers, printers,  
PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.  
http://onsemi.com  
Features  
200 mA, 50 V  
RDS(on) = 3.5 W  
• Pb−Free Packages are Available  
• Low Threshold Voltage (V  
: 0.5 V−1.5 V) Makes it Ideal for  
GS(th)  
N−Channel  
Low Voltage Applications  
3
• Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space  
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
2
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Drain Current  
Symbol  
Value  
50  
Unit  
Vdc  
Vdc  
mA  
V
DSS  
V
GS  
± 20  
3
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 21  
− Continuous @ T = 25°C  
I
200  
800  
A
D
1
− Pulsed Drain Current (t ≤ 10 ms)  
I
p
DM  
2
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
225  
mW  
A
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
− 55 to  
150  
°C  
J
stg  
MARKING DIAGRAM & PIN ASSIGNMENT  
3
Thermal Resistance − Junction−to−Ambient  
R
556  
260  
°C/W  
°C  
q
JA  
Drain  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, for 10 seconds  
T
L
J1  
M
= Device Code  
= Date Code  
J1M  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
1
Gate  
2
Source  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
BSS138LT1  
SOT−23  
3000 Tape & Reel  
3000 Tape & Reel  
BSS138LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
BSS138LT3  
SOT−23 10,000 Tape & Reel  
BSS138LT3G  
SOT−23 10,000 Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
June, 2004 − Rev. 3  
BSS138LT1/D  
123456

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BSS138LT3G 替代型号

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BSS138NH6433 INFINEON

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