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BSS138P,215

更新时间： 2024-02-29 01:16:43

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恩智浦 - NXP		/
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16页	159K
描述
60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin

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BSS138P,215 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-236
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	4 weeks
风险等级：	0.69	Samacsys Description：	BSS138P,215 N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.36 A
最大漏源导通电阻：	1.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS138P,215 数据手册

BSS138P

60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET

Rev. 1 — 2 November 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small

SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using

Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

Trench MOSFET technology

AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

T_amb= 25 °C

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

±20

360

[1]

[2]

T_amb= 25 °C;

V_GS= 10 V

R_DSon

drain-source on-state

resistance

T_j= 25 °C;

0.9

1.6

V_GS= 10 V;

I_D= 300 mA

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad

for drain 1 cm².

[2] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.01.

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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