Datasheet > BSS138NH6327XTSA2

BSS138NH6327XTSA2

更新时间： 2024-02-06 09:29:38

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	456K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSS138NH6327XTSA2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	1.5	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.23 A	最大漏源导通电阻：	3.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	3.8 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSS138NH6327XTSA2 数据手册

浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号BSS138NH6327XTSA2的Datasheet PDF文件第6页

BSS138N

SIPMOS^®Small-Signal-Transistor

Features

Product Summary

V_DS

• N-channel

R_DS(on),max

I_D

3.5

• Enhancement mode

0.23

• Logic level

• dv /dt rated

• Pb-free lead-plating; RoHS compliant

• Qualified according to AEC Q101

• Halogen free according to IEC61249-2-21

PG-SOT-23

Type

Package

Tape and Reel

Marking

SKs

BSS138N

PG-SOT-23 H6327: 3000

PG-SOT-23 H6433: 10000

SKs

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _A=25 °C

T _A=70 °C

T _A=25 °C

Continuous drain current

0.23

0.18

0.92

I _D,pulse

dv /dt

V _GS

Pulsed drain current

I _D=0.23 A, V _DS=48 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

kV/µs

_j,max=150 °C

Gate source voltage

±20

Class 0 (<250V)

0.36

ESD sensitivity

JESD22-A114 (HBM)

P _tot

T _A=25 °C

Power dissipation

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/150/56

°C

Rev. 2.86

page 1

2012-04-17

12 3 4 5 6 7...9

下载PDF

与BSS138NH6327XTSA2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BSS138NH6433	INFINEON	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
BSS138NH6433XTMA1	INFINEON	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
BSS138NL6327	INFINEON	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
BSS138NL6433	INFINEON	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
BSS138NL6433XT	INFINEON	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
BSS138P	NXP	60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET	获取价格