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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.04 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.23 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.23 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 3.8 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS138NH6433XTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSS138NL6327 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSS138NL6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| BSS138NL6433XT | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSS138P | NXP |
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60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET |
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| BSS138P | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFETProduction |
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| BSS138P | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
0.36A, 60V, 0.35W, N Channel, Small Signal MOSFETs |
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| BSS138P,215 | NXP |
获取价格 |
60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin |
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| BSS138PDW | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
0.36A, 60V, 0.31W, N Channel, Dual MOSFETs |
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| BSS138PS | NXP |
获取价格 |
60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET |
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