| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 10 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A | 最大漏源导通电阻： | 30 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSD212 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 mA, 10 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-72, FET General Purpose Sm |
|
| BSD212 | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| BSD213 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 mA, 10 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-72, FET General Purpose Sm |
|
| BSD213 | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| BSD214 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-72, FET General Purpose Sm |
|
| BSD214SN | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor |
|
| BSD214SN H6327 | INFINEON |
获取价格 |
类型:N沟道;元器件封装:PG-SOT363-6; |
|
| BSD214SNL6327 | INFINEON |
获取价格 |
元器件封装:PG-SOT363-6; |
|
| BSD215 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-72, FET General Purpose Sm |
|
| BSD215 | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
全球首次！联发科联合欧空局实现5G-A卫星宽带实网连线突破
台积电5纳米以下制程将连续四年涨价 回应称定价不以机会为导向
中国机器人产业前三季度营收飙升29.5%，自主品牌首超半壁江山
京东方8.6代AMOLED产线即将点亮 中国显示产业迈入高世代新纪元
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
