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BSD235C

更新时间： 2024-10-14 06:44:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 254K
描述
OptiMOS™ 2 + OptiMOS™-P 2 Small Signal Transistor

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BSD235C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：GREEN, PLASTIC PACKAGE-6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.81其他特性：AVALANCHE RATED
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：0.95 A最大漏源导通电阻：0.35 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON

BSD235C 数据手册

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BSD235C  
N
OptiMOS™ 2 + OptiMOS™-P 2 Small Signal Transistor  
Product Summary  
Features  
P
· Complementary P + N channel  
V DS  
-20  
20  
V
· Enhancement mode  
· Super Logic level (2.5V rated)  
· Avalanche rated  
R DS(on),max  
V
V
GS=±4.5 V  
GS=±2.5 V  
1200  
2100  
350  
600  
mΩ  
I D  
-0.53 0.95  
A
· Qualified according to AEC Q101  
· 100% lead-free; RoHS compliant  
PG-SOT-363  
3
6
6
3
5
4
2
5
1
2
1
4
Type  
Package  
Tape and Reel Information  
Marking  
Lead Free  
Packing  
BSD235C PG-SOT-363  
L6327: 3000 pcs / reel  
X9s  
Yes  
Non dry  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified 1)  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
P
N
I D  
T A=25 °C  
T A=70 °C  
T A=25 °C  
Continuous drain current  
-0.53  
-0.46  
-2.1  
0.95  
0.76  
3.8  
A
I D,pulse  
E AS  
Pulsed drain current  
P: I D=-0.53 A,  
N: I D=0.95 A,  
Avalanche energy, single pulse  
1.4  
1.6  
mJ  
R
GS=25 Ω  
V GS  
±12  
0.5  
Gate source voltage  
V
P tot  
T A=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
°C  
°C  
T j, T stg  
-55 ... 150  
0 (<250V)  
260  
Operating and storage temperature  
ESD class  
JESD22-A114-HBM  
T solder  
Soldering temperature  
55/150/56  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
1) Remark: only one of both transistors active  
Rev.2.1  
page 1  
2009-02-11  
1234567...13

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与BSD235C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSD235N INFINEON

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 		OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor
BSD235NH6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.95A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSD235NH6327XTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.95A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSD235NL6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.95A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSD254 NXP

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 		TRANSISTOR 200 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose
BSD254A PHILIPS

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
BSD254A NXP

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 		TRANSISTOR 200 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose
BSD254AR NXP

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 		TRANSISTOR 200 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose
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 		OptiMOS?-P 3 Small-Signal-Transistor
BSD314SPEH6327XTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,

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