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BSD223P PDF预览

BSD223P

更新时间： 2024-11-19 22:27:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 77K
描述
OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

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BSD223P 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-363
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.34
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.39 A最大漏极电流 (ID)：0.39 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：22 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSD223P 数据手册

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Preliminary data  
BSD 223P  
OptiMOS -P Small-Signal-Transistor  
Feature  
Product Summary  
V
-20  
1.2  
V
Ω
A
DS  
• Dual P-Channel  
R
DS(on)  
• Enhancement mode  
• Super Logic Level (2.5 V rated)  
• 150°C operating temperature  
• Avalanche rated  
I
-0.39  
D
SOT-363  
4
5
6
• dv/dt rated  
3
2
1
VPS05604  
MOSFET1: 1,2,6  
MOSFET2: 3,4,5  
Drain  
pin 6,3  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
Source  
pin 1,4  
Gate  
pin 2,5  
BSD 223P  
SOT-363  
Q67042-S4059  
X1s  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
-0.39  
-0.31  
-1.56  
A
T =70°C  
A
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
A
1.4  
-6  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =-0.39 A , V =-10V, R =25Ω  
D
DD  
GS  
kV/µs  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
I =-0.39A, V =-16V, di/dt=200A/µs, T  
DS jmax  
=150°C  
S
V
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
±12  
GS  
tot  
0.25  
W
T =25°C  
A
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +150  
55/150/56  
j
stg  
Page 1  
2002-07-04  
12345678

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BSD223P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSD223PL6327 INFINEON

类似代替

 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.39A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta

与BSD223P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSD223P_06 INFINEON

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 		OptiMOS-P Small-Signal-Transistor
BSD223PL6327 INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.39A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSD22T/R ETC

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