是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.65 |
其他特性: | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.95 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.95 A | 最大漏源导通电阻: | 0.35 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSD254 | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose | |
BSD254A | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
BSD254A | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose | |
BSD254AR | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose | |
BSD314SPE | INFINEON |
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OptiMOS?-P 3 Small-Signal-Transistor | |
BSD314SPEH6327XTSA1 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, | |
BSD316SN | INFINEON |
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OptiMOS?2 Small-Signal-Transistor | |
BSD3A031V | UMW |
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反向截止电压(Vrwm):3.3V;极性/通道数(Channel):1-Line,Unid | |
BSD3A051V | UMW |
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反向截止电压(Vrwm):5V;极性/通道数(Channel):1-Line,Unidir | |
BSD3C031V | UMW |
获取价格 |
反向截止电压(Vrwm):3.3V;极性/通道数(Channel):1-Line,Bidi |