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BSD235NH6327

更新时间： 2024-10-14 21:19:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 344K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.95A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6

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BSD235NH6327 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.61
其他特性：AVALANCHE RATED配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：0.95 A
最大漏源导通电阻：0.35 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSD235NH6327 数据手册

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BSD235N  
OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor  
Features  
Product Summary  
VDS  
20  
V
• Dual N-channel  
RDS(on),max  
VGS=4.5 V  
VGS=2.5 V  
350  
600  
0.95  
mW  
• Enhancement mode  
• Super Logic level (2.5V rated)  
ID  
A
• Avalanche rated  
• Qualified according to AEC Q101  
• 100% lead-free; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
PG-SOT-363  
6
5
4
1
2
3
Type  
Package  
Tape and Reel Information  
Marking  
X6s  
Lead Free  
Yes  
Packing  
Non dry  
BSD235N  
PG-SOT-363 H6327: 3000 pcs/ reel  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Parameter 1)  
Value  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T A=25 °C  
T A=70 °C  
T A=25 °C  
Continuous drain current  
0.95  
0.76  
3.8  
A
I D,pulse  
Pulsed drain current  
E AS  
I D=0.95 A, R GS=16 W  
Avalanche energy, single pulse  
1.6  
6
mJ  
I D=0.95 A, V DS=16 V,  
di /dt =200 A/µs,  
T j,max=150 °C  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
kV/µs  
V GS  
Gate source voltage  
±12  
0.5  
V
P tot  
T A=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
ESD Class  
-55 ... 150  
0 (<250V)  
260 °C  
JESD22-A114 -HBM  
Soldering Temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
55/150/56  
(1) Remark: only one of both transistors in operation.  
Rev 2.4  
page 1  
2013-04-15  
1234567...9

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与BSD235NH6327相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSD235NH6327XTSA1 INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.95A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSD235NL6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.95A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
BSD254 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 200 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose
BSD254A PHILIPS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
BSD254A NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 200 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose
BSD254AR NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 200 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose
BSD314SPE INFINEON

获取价格

 		OptiMOS?-P 3 Small-Signal-Transistor
BSD314SPEH6327XTSA1 INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
BSD316SN INFINEON

获取价格

 		OptiMOS?2 Small-Signal-Transistor
BSD3A031V UMW

获取价格

 		反向截止电压（Vrwm）:3.3V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Unid

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