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BS616LV1611FC70

更新时间： 2024-02-15 19:19:59
品牌 Logo 应用领域
BSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 161K
描述
Standard SRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48

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BS616LV1611FC70 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FBGA, BGA48,6X8,30Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e0内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3端子数量：48
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：FBGA封装等效代码：BGA48,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified最小待机电流：1.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.09 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

BS616LV1611FC70 数据手册

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BS616LV1611  
n AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = -40OC to +85OC)  
READ CYCLE  
CYCLE TIME : 55ns CYCLE TIME : 70ns  
(VCC=3.0~5.5V) (VCC=2.7~5.5V)  
JEDEC  
PARAMETER  
NAME  
PARANETER  
DESCRIPTION  
UNITS  
NAME  
MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.  
tAVAX  
tAVQX  
tELQV1  
tELQV2  
tBLQV  
tGLQV  
tELQX1  
tELQX2  
tBLQX  
tGLQX  
tEHQZ1  
tEHQZ2  
tBHQZ  
tGHQZ  
tAVQX  
tRC  
tAA  
Read Cycle Time  
55  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
55  
55  
55  
55  
30  
--  
70  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
70  
70  
70  
70  
35  
--  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Access Time  
Chip Select Access Time  
Chip Select Access Time  
Data Byte Control Access Time  
(CE1)  
(CE2)  
tACS1  
tACS2  
tBA  
--  
--  
--  
--  
(LB, UB)  
--  
--  
tOE  
Output Enable to Output Valid  
Chip Select to Output Low Z  
Chip Select to Output Low Z  
--  
--  
(CE1)  
(CE2)  
tCLZ1  
tCLZ2  
tBE  
10  
10  
10  
5
10  
10  
10  
5
--  
--  
Data Byte Control to Output Low Z (LB, UB)  
Output Enable to Output Low Z  
--  
--  
tOLZ  
tCHZ1  
tCHZ2  
tBDO  
tOHZ  
tOH  
--  
--  
Chip Select to Output High Z  
Chip Select to Output High Z  
(CE1)  
(CE2)  
--  
30  
30  
30  
25  
--  
--  
35  
35  
35  
30  
--  
--  
--  
Data Byte Control to Output High Z (LB, UB)  
Output Enable to Output High Z  
--  
--  
--  
--  
Data Hold from Address Change  
10  
10  
n SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)  
READ CYCLE 1 (1,2,4)  
tRC  
ADDRESS  
tAA  
tOH  
tOH  
DOUT  
Revision 2.3  
May. 2006  
R0201-BS616LV1611  
5
12345678...11

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