生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 55 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | 长度: | 18.41 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS616LV1010ECP70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010ECP75 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010EI | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010EI55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010EI70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010EIG55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010EIG70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010EIG75 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010EIP55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010EIP70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit |