是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2, TSOP44,.46,32 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | 长度: | 18.41 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最小待机电流: | 1.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.4 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS616LV1010EIG75 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010EIP55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010EIP70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010EIP75 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010FC55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit | |
BS616LV1010FC70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit | |
BS616LV1010FCG55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit | |
BS616LV1010FCG70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit | |
BS616LV1010FCP55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit | |
BS616LV1010FCP70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit |