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BS616LV1010EI

更新时间： 2024-11-25 22:27:55
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BSI 静态存储器
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10页 217K
描述
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit

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BS616LV1010EI 数据手册

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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM  
64K X 16 bit  
BSI  
BS616LV1010  
„ DESCRIPTION  
„ FEATURES  
• Very low operation voltage : 2.4 ~ 5.5V  
• Very low power consumption :  
The BS616LV1010 is a high performance, very low power CMOS Static  
Random Access Memory organized as 65,536 words by 16 bits and  
operates from a wide range of 2.4V to 5.5V supply voltage.  
Advanced CMOS technology and circuit techniques provide both high  
speed and low power features with a typical CMOS standby current  
of 0.02uA and maximum access time of 70ns in 3V operation.  
Easy memory expansion is provided by an active LOW chip  
enable(CE) and active LOW output enable(OE) and three-state output  
drivers.  
Vcc = 3.0V  
C-grade : 20mA (Max.) operating current  
I- grade : 25mA (Max.) operating current  
0.02uA (Typ.) CMOS standby current  
C-grade : 35mA (Max.) operating current  
I- grade : 40mA (Max.) operating current  
0.4uA (Typ.) CMOS standby current  
Vcc = 5.0V  
• High speed access time :  
-70  
70ns (Max.) at Vcc = 3.0V  
The BS616LV1010 has an automatic power down feature, reducing the  
power consumption significantly when chip is deselected.  
The BS616LV1010 is available in the JEDEC standard 44-pin TSOP  
Type II and 48-pin BGA package.  
• Automatic power down when chip is deselected  
• Three state outputs and TTL compatible  
• Fully static operation  
• Data retention supply voltage as low as 1.5V  
• Easy expansion with CE and OE options  
• I/O Configuration x8/x16 selectable by LB and UB pin  
„ PRODUCT FAMILY  
POWER DISSIPATION  
SPEED  
(ns)  
PRODUCT  
FAMILY  
OPERATING  
Vcc  
STANDBY  
Operating  
PKG TYPE  
(ICCSB1, Max)  
(ICC, Max)  
TEMPERATURE  
RANGE  
Vcc=3.0V  
Vcc=5.0V  
Vcc=3.0V  
Vcc=5.0V  
Vcc=3.0V  
BS616LV1010EC  
TSOP2-44  
+0 O C to +70 O  
-40 O C to +85O  
C
C
2.4V ~ 5.5V  
2.4V ~ 5.5V  
70  
3uA  
5uA  
0.5uA  
35mA  
40mA  
20mA  
BS616LV1010AC  
BS616LV1010EI  
BS616LV1010AI  
BGA-48-0608  
TSOP2-44  
70  
1.5uA  
25mA  
BGA-48-0608  
„ PIN CONFIGURATIONS  
„ BLOCK DIAGRAM  
1
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A4  
A5  
A6  
A7  
OE  
UB  
LB  
2
A3  
3
A2  
4
A1  
5
A0  
A8  
6
CE  
A13  
A15  
7
DQ0  
DQ15  
Address  
8
DQ1  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
GND  
VCC  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
NC  
18  
512  
9
DQ2  
A14  
A12  
A7  
BS616LV1010EC  
10  
Input  
DQ3  
Row  
Memory Array  
512 x 2048  
11  
VCC  
BS616LV1010EI  
12  
GND  
Buffer  
13  
DQ4  
Decoder  
14  
A6  
A5  
A4  
DQ5  
15  
DQ6  
16  
DQ7  
17  
WE  
18  
A15  
A8  
2048  
19  
A14  
A9  
20  
Data  
A13  
A10  
16  
16  
16  
21  
Column I/O  
A12  
Input  
A11  
DQ0  
22  
NC  
NC  
Buffer  
.
.
.
.
.
.
.
.
Write Driver  
Sense Amp  
1
2
3
4
5
6
128  
Data  
16  
A
B
C
D
E
F
LB  
OE  
UB  
A0  
A3  
A1  
A4  
A2  
NC  
IO0  
IO2  
Output  
Buffer  
Column Decoder  
DQ15  
IO8  
CE  
14  
CE  
WE  
OE  
UB  
IO9  
IO10  
IO11  
IO12  
IO13  
NC  
A5  
A6  
IO1  
IO3  
IO4  
IO5  
WE  
A11  
Control  
Address Input Buffer  
VSS  
VCC  
IO14  
IO15  
NC  
NC  
NC  
A14  
A12  
A9  
A7  
VCC  
VSS  
IO6  
IO7  
NC  
LB  
A11 A9 A3 A2 A1  
A0 A10  
NC  
A15  
A13  
A10  
Vcc  
Gnd  
G
H
A8  
Brilliance Semiconductor Inc. reserves the right to modify document contents without notice.  
Revision 2.2  
April 2001  
R0201-BS616LV1010  
1
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