是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | MS-012AA, SO-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.67 |
最大时钟频率 (fCLK): | 2 MHz | 数据保留时间-最小值: | 40 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3/e2 | 长度: | 4.9 mm |
内存密度: | 2048 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 105 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2KX1 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 串行总线类型: | MICROWIRE |
最大待机电流: | 0.000015 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.002 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN/TIN COPPER |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
宽度: | 3.9 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
写保护: | SOFTWARE |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BR93C56-TWMN6TP | ROHM |
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Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type | |
BR93C56-TWMN7TP | ROHM |
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Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+105C type | |
BR93C56-WDS6TP | ROHM |
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Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type | |
BR93C56-WDW6TP | ROHM |
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Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type | |
BR93C56-WMN6TP | ROHM |
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Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type | |
BR93C56-WMN7TP | ROHM |
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Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+105C type | |
BR93C66-10SU-1.8 | ROHM |
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Supply voltage 1.8V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type | |
BR93C66-10SU-2.7 | ROHM |
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Supply voltage 2.7V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type | |
BR93C66-10TU-1.8 | ROHM |
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Supply voltage 1.8V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type | |
BR93C66-10TU-2.7 | ROHM |
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Supply voltage 2.7V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type |