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BR93C66-10TU-2.7

更新时间： 2024-09-17 23:14:23

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罗姆 - ROHM		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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6页	283K
描述
Supply voltage 2.7V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type

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BR93C66-10TU-2.7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.43
最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz	数据保留时间-最小值：	100
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3/e2	长度：	4.3 mm
内存密度：	4096 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	256 words
字数代码：	256	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256X16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	串行总线类型：	MICROWIRE
最大待机电流：	0.00001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.002 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN/TIN COPPER
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
宽度：	2.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
写保护：	SOFTWARE	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR93C66A	ROHM	获取价格	Memory IC
BR93C66B	ROHM	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8
BR93C66BRF	ROHM	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
BR93C66-DS6TP	ROHM	获取价格	Supply voltage 4.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type
BR93C66-DW6TP	ROHM	获取价格	Supply voltage 4.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type
BR93C66-MN6TP	ROHM	获取价格	Supply voltage 4.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type
BR93C66-MN7TP	ROHM	获取价格	Supply voltage 4.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+105C type
BR93C66-TMN6TP	ROHM	获取价格	Supply voltage 4.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type
BR93C66-TMN7TP	ROHM	获取价格	Supply voltage 4.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+105C type
BR93C66-TWMN6TP	ROHM	获取价格	Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type