是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSSOP |
包装说明: | TSSOP, TSSOP8,.19 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.67 |
最大时钟频率 (fCLK): | 2 MHz | 数据保留时间-最小值: | 40 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | S-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3/e2 | 长度: | 3 mm |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX1 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP8,.19 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.1 mm | 串行总线类型: | MICROWIRE |
最大待机电流: | 0.000015 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.002 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN/TIN COPPER |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
宽度: | 3 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
写保护: | SOFTWARE |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BR93C76-DW6TP | ROHM |
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Supply voltage 4.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type | |
BR93C76-MN6TP | ROHM |
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Supply voltage 4.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type | |
BR93C76-MN7TP | ROHM |
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Supply voltage 4.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+105C type | |
BR93C76-TMN6TP | ROHM |
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Supply voltage 4.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type | |
BR93C76-TMN7TP | ROHM |
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Supply voltage 4.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+105C type | |
BR93C76-TWMN6TP | ROHM |
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Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type | |
BR93C76-TWMN7TP | ROHM |
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Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+105C type | |
BR93C76-WDS6TP | ROHM |
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Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type | |
BR93C76-WDW6TP | ROHM |
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Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type | |
BR93C76-WMN6TP | ROHM |
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Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type |