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BLL1214-35,112

更新时间: 2024-09-08 20:52:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 59K
描述
BLL1214-35

BLL1214-35,112 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:CERAMIC PACKAGE-3
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.75外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:75 V
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):110 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BLL1214-35,112 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLL1214-35  
L-band radar LDMOS driver  
transistor  
Product specification  
2002 Sep 27  

BLL1214-35,112 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BLL1214-35 NXP

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