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BLL1214-35

更新时间: 2024-09-16 21:55:35
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恩智浦 - NXP 晶体驱动器晶体管雷达
页数 文件大小 规格书
8页 64K
描述
L-band radar LDMOS driver transistor

BLL1214-35 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:CERAMIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.75
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:75 VFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):110 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BLL1214-35 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLL1214-35  
L-band radar LDMOS driver  
transistor  
Product specification  
2002 Sep 27  

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