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BLF2022-125

更新时间: 2024-11-06 03:22:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 51K
描述
UHF power LDMOS transistor

BLF2022-125 技术参数

生命周期:Active包装说明:CERAMIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:65 VFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):20 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BLF2022-125 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLF2022-125  
UHF power LDMOS transistor  
Objective specification  
2003 Mar 07  
Supersedes data of 2002 April 02  

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