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BLF2022-70

更新时间: 2024-11-21 03:22:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 112K
描述
UHF power LDMOS transistor

BLF2022-70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):9 A最大漏极电流 (ID):9 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BLF2022-70 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BLF2022-70  
UHF power LDMOS transistor  
Product specification  
2003 Feb 24  
Supersedes data of 2002 Jul 04  

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