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BLF2043F,135 PDF预览

BLF2043F,135

更新时间: 2024-11-21 15:28:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 95K
描述
BLF2043F

BLF2043F,135 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:CERAMIC, SMD, LDMOST, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.75外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2.2 A最大漏极电流 (ID):2.2 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BLF2043F,135 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLF2043F  
UHF power LDMOS transistor  
Product specification  
2002 Mar 05  
Supersedes data of 2000 Oct 19  

BLF2043F,135 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BLF2043F,112 NXP

完全替代

BLF2043F

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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