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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.35 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRFM-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 68 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 68 W | 最小功率增益 (Gp)： | 8.5 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BLF2324M8LS200PJ | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B |
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| BLF2324M8LS200PU | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B |
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| BLF241 | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BLF241 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39/3, TO-39/3, 3 PIN, FET |
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| BLF242 | NXP |
获取价格 |
HF/VHF power MOS transistor |
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| BLF242 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 1A 4-Pin SOT-123A |
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| BLF242,112 | NXP |
获取价格 |
BLF242 |
|
| BLF242/B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR RF MOSFET |
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| BLF242_15 | JMNIC |
获取价格 |
HF/VHF power MOS transistor |
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| BLF242_2015 | JMNIC |
获取价格 |
HF/VHF power MOS transistor |
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