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BLF242

更新时间： 2024-11-24 22:39:35

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BLF242 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SOT-123A, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	16 W	最大功率耗散 (Abs)：	16 W
最小功率增益 (Gp)：	13 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

BLF242

HF/VHF power MOS transistor

September 1992

Product speciﬁcation

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF134	MACOM	功能相似	The RF MOSFET Line: Broadband RF Power FET 5.0W, to 400MHz, 28V
BLF242,112	NXP	功能相似	BLF242
SD2900	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs