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BLF2045

更新时间: 2024-09-15 22:27:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 136K
描述
UHF power LDMOS transistor

BLF2045 技术参数

Source Url Status Check Date:2013-06-14 00:00:00是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:65 V最大漏极电流 (Abs) (ID):4.5 A
最大漏极电流 (ID):4.5 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BLF2045 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLF2045  
UHF power LDMOS transistor  
Preliminary specification  
1999 Dec 06  

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