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BLC6G20LS-75

更新时间： 2024-09-30 02:52:15

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恩智浦 - NXP		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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9页	51K
描述
UHF power LDMOS transistor

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BLC6G20LS-75 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SOT896-1, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	225 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BLC6G20LS-75 数据手册

BLC6G20-75; BLC6G20LS-75

UHF power LDMOS transistor

Rev. 01 — 30 January 2006

Objective data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

75 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from

1800 MHz to 2000 MHz.

Table 1:

Typical performance

RF performance at T_case= 25 °C in a common source class-AB production test circuit.

Mode of operation

V_DSP_L(AV)G_p

η_D

ACPR₄₀₀ACPR₆₀₀EVM_rms

(MHz)

(V) (W) (dB) (%) (dBc)

(dBc)

(%)

1930 to 1990

GSM EDGE

29.5

38.5 −62.5

−72

1.5

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features

■ Typical GSM EDGE performance at frequencies of 1930 MHz and 1990 MHz, a supply

voltage of 28 V and an I_Dqof 550 mA:

◆ Output power = 29.5 W (AV)

◆ Gain = 19 dB

◆ Efﬁciency = 38.5 %

◆ ACPR₄₀₀= −62.5 dBc

◆ ACPR₆₀₀= −72 dBc

◆ EVM_rms= 1.5 %

■ Easy power control

■ Integrated ESD protection

■ Excellent ruggedness

■ High efﬁciency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (1800 MHz to 2000 MHz)

■ Internally matched for ease of use

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