Datasheet > BLC6G22LS-130

BLC6G22LS-130

更新时间： 2024-09-30 02:57:15

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	52K
描述
UHF power LDMOS transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BLC6G22LS-130 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SOT896-1, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	225 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BLC6G22LS-130 数据手册

BLC6G22-100; BLC6G22LS-100

UHF power LDMOS transistor

Rev. 01 — 30 January 2006

Objective data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

100 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from

2000 MHz to 2200 MHz.

Table 1:

Typical performance

RF performance at T_case= 25 °C in a common source class-AB production test circuit.

Mode of operation

V_DS

(V)

P_L(AV)

(W)

G_p

η_D

IMD3

(dBc)

−37^[1]

ACPR

(dBc)

−40^[1]

(MHz)

(dB)

(%)

2-carrier W-CDMA

2110 to 2170

[1] Test signal: 3GPP; test model 1; 64 DPCH; PAR = 7 dB at 0.01 % probability on CCDF per carrier; carrier

spacing 10 MHz.

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features

■ Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 2110 MHz and 2170 MHz, a

supply voltage of 28 V and an I_Dqof 950 mA:

◆ Output power = 25 W (AV)

◆ Gain = 18 dB

◆ Efﬁciency = 32 %

◆ IMD3 = −37 dBc

◆ ACPR = −40 dBc

■ Easy power control

■ Integrated ESD protection

■ Excellent ruggedness

■ High efﬁciency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (2000 MHz to 2200 MHz)

■ Internally matched for ease of use

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与BLC6G22LS-130相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLC6G22LS-75	NXP	获取价格	Power LDMOS transistor
BLC75N120	BELLING	获取价格	BLC75N120 is an N-channel enhancement type planar MOSFET, with the revolutionary semicondu
BLC8G09XS-400AVTY	ETC	获取价格	RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7
BLC8G09XS-400AVTZ	ETC	获取价格	RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7
BLC8G20LS-310AVY	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12583
BLC8G20LS-310AVZ	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12583
BLC8G20LS-400AVY	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583
BLC8G20LS-400AVZ	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583
BLC8G21LS-160AV	AMPLEON	获取价格	Power LDMOS transistor
BLC8G21LS-160AVY	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751