BLC6G22-75

更新时间： 2024-09-30 03:05:59

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恩智浦 - NXP		晶体射频场效应晶体管光电二极管放大器局域网
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Power LDMOS transistor

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BLC6G22-75 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	18 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BLC6G22-75 数据手册

BLC6G22-75; BLC6G22LS-75

Power LDMOS transistor

Rev. 01 — 7 February 2008

Objective data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

75 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from

2000 MHz to 2200 MHz.

Table 1.

Typical performance

RF performance at T_case= 25 °C in a common source class-AB production test circuit.

Mode of operation

V_DS

(V)

P_L(AV)

(W)

G_p

η_D

IMD3

(dBc)

−37^[1]

ACPR

(dBc)

−41^[1]

(MHz)

(dB)

18.5

(%)

2-carrier W-CDMA

2110 to 2170

[1] Test signal: 3GPP; test model 1; 64 DPCH; PAR = 7 dB at 0.01 % probability on CCDF per carrier; carrier

spacing 10 MHz.

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features

I Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 2110 MHz and 2170 MHz, a

supply voltage of 28 V and an I_Dqof 690 mA:

N Average output power = 17 W

N Gain = 18.5 dB

N Efﬁciency = 31 %

N IMD3 = −37 dBc

N ACPR = −41 dBc

I Easy power control

I Integrated ESD protection

I Excellent ruggedness

I High efﬁciency

I Excellent thermal stability

I Designed for broadband operation (2000 MHz to 2200 MHz)

I Internally matched for ease of use

I Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

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