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BLC6G22-100

更新时间： 2024-09-30 03:05:59

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	52K
描述
UHF power LDMOS transistor

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BLC6G22-100 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	PLASTIC, SOT-895-1, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
其他特性：	HIGH EFFICIENCY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDFM-F2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	225 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BLC6G22-100 数据手册

BLC6G22-100; BLC6G22LS-100

UHF power LDMOS transistor

Rev. 01 — 30 January 2006

Objective data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

100 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from

2000 MHz to 2200 MHz.

Table 1:

Typical performance

RF performance at T_case= 25 °C in a common source class-AB production test circuit.

Mode of operation

V_DS

(V)

P_L(AV)

(W)

G_p

η_D

IMD3

(dBc)

−37^[1]

ACPR

(dBc)

−40^[1]

(MHz)

(dB)

(%)

2-carrier W-CDMA

2110 to 2170

[1] Test signal: 3GPP; test model 1; 64 DPCH; PAR = 7 dB at 0.01 % probability on CCDF per carrier; carrier

spacing 10 MHz.

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features

■ Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 2110 MHz and 2170 MHz, a

supply voltage of 28 V and an I_Dqof 950 mA:

◆ Output power = 25 W (AV)

◆ Gain = 18 dB

◆ Efﬁciency = 32 %

◆ IMD3 = −37 dBc

◆ ACPR = −40 dBc

■ Easy power control

■ Integrated ESD protection

■ Excellent ruggedness

■ High efﬁciency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (2000 MHz to 2200 MHz)

■ Internally matched for ease of use

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