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BGX50AE6327

更新时间： 2024-09-18 21:18:07

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	64K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.14A, Silicon,

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BGX50AE6327 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.98
外壳连接：	CATHODE	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.14 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.21 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

BGX50AE6327 数据手册

BGX50A...

Silicon Switching Diode Array

• Bridge configuration

• High-speed switching diode chip

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BGX50A

Type

BGX50A

Package

Configuration

Marking

SOT143

bridge

U1s

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Diode reverse voltage

Peak reverse voltage

Forward current

140

°C

Non-repetitive peak surge forward current

Total power dissipation

FSM

210

tot

T ≤ 74°C

150

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Value

Unit

K/W

Junction - soldering point

BGX50A

360

thJS

¹Pb-containing package may be available upon special request

²For calculation of R

please refer to Application Note Thermal Resistance

thJA

2007-03-27

12 3 4 5 6

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