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BGD714,112

更新时间: 2024-11-24 21:09:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 高功率电源射频微波
页数 文件大小 规格书
9页 71K
描述
BGD714 - 750 MHz, 20.3 dB gain power doubler amplifier SFM 7-Pin

BGD714,112 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:SOT-115J
针数:7Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8542.33.00.01风险等级:5.69
其他特性:LOW NOISE, HIGH RELIABILITY特性阻抗:75 Ω
构造:MODULE增益:20.8 dB
JESD-609代码:e4最大工作频率:750 MHz
最小工作频率:40 MHz最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-20 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:SOT-115J电源:24 V
射频/微波设备类型:WIDE BAND HIGH POWER子类别:RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率:410 mA技术:HYBRID
端子面层:Gold (Au)Base Number Matches:1

BGD714,112 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BGD714  
750 MHz, 20.3 dB gain power  
doubler amplifier  
Product specification  
2001 Nov 02  
Supersedes data of 2001 Oct 29  

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