生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.8 | 最高工作温度: | 100 °C |
最低工作温度: | -20 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码: | SOT-115J | 电源: | 24 V |
子类别: | RF/Microwave Amplifiers | 最大压摆率: | 410 mA |
技术: | HYBRID |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BGD812 | NXP | CATV amplifier module |
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BGD812,112 | NXP | BGD812 - 870 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier SFM 7-Pin |
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BGD812_01 | NXP | 860 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier |
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BGD812_15 | JMNIC | 860 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier |
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BGD812_2015 | JMNIC | 860 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier |
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BGD814 | NXP | CATV amplifier module |
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