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BGD814,112

更新时间: 2024-11-24 14:48:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 高功率电源射频微波
页数 文件大小 规格书
10页 85K
描述
BGD814 - 870 MHz, 20 dB gain power doubler amplifier SFM 7-Pin

BGD814,112 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:SOT-115J, 7 PIN
针数:7Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.33.00.01风险等级:5.71
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
特性阻抗:75 Ω构造:MODULE
增益:20.5 dB最大输入功率 (CW):21.25 dBm
最大工作频率:870 MHz最小工作频率:40 MHz
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-20 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:SOT-115J
电源:24 V射频/微波设备类型:WIDE BAND HIGH POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers最大压摆率:410 mA
技术:HYBRIDBase Number Matches:1

BGD814,112 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ndbook, halfpage  
BGD814  
860 MHz, 20 dB gain power  
doubler amplifier  
Product specification  
2001 Nov 01  
Supersedes data of 2001 Sep 07  

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