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BGD904,112

更新时间: 2024-01-20 18:47:22
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 高功率电源放大器射频微波功率放大器
页数 文件大小 规格书
11页 102K
描述
RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT-115J, 7 PIN

BGD904,112 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOT-115JReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.72其他特性:LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
特性阻抗:75 Ω构造:MODULE
增益:20.5 dB最大输入功率 (CW):21.25 dBm
JESD-609代码:e4最大工作频率:900 MHz
最小工作频率:40 MHz最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-20 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:SOT-115J电源:24 V
射频/微波设备类型:WIDE BAND HIGH POWER子类别:RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率:435 mA技术:HYBRID
端子面层:Gold (Au)Base Number Matches:1

BGD904,112 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BGD904; BGD904MI  
860 MHz, 20 dB gain power  
doubler amplifier  
Product specification  
2001 Nov 01  
Supersedes data of 2000 Jan 10  

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