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BGE788,112

更新时间： 2024-01-13 19:21:15

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恩智浦 - NXP		高功率电源射频微波
页数	文件大小	规格书
8页	86K
描述
750 MHz, 34 dB gain push-pull amplifier SFM 7-Pin

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BGE788,112 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	SOT-115J	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
其他特性：	LOW NOISE	特性阻抗：	75 Ω
构造：	MODULE	增益：	34 dB
最大工作频率：	750 MHz	最小工作频率：	40 MHz
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-20 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SOT-115J
电源：	24 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND HIGH POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	320 mA
技术：	HYBRID	Base Number Matches：	1

BGE788,112 数据手册

BGE788

750 MHz, 34 dB gain push-pull amplifier

Rev. 5 — 16 September 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Hybrid high dynamic range amplifier module in a SOT115J package operating at a supply

voltage of 24 V (DC). The module consists of two cascaded stages both in cascode

configuration.

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features and benefits

 Excellent linearity

 Extremely low noise

 High gain

 Excellent return loss properties

1.3 Applications

 Single module line extender in CATV systems operating in the 40 MHz to 750 MHz

frequency range.

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

f = 50 MHz

f = 750 MHz

V_B= 24 V

Min

33.5

Typ

Max

34.5

Unit

G_p

I_tot

power gain

[1]

total current consumption (DC)

290

320

[1] The module normally operates at V_B= 24 V, but is able to withstand supply transients up to 30 V.

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