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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOT-115J | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY |
| 特性阻抗： | 75 Ω | 构造： | MODULE |
| 增益： | 22 dB | JESD-609代码： | e4 |
| 最大工作频率： | 900 MHz | 最小工作频率： | 40 MHz |
| 最高工作温度： | 100 °C | 最低工作温度： | -20 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装等效代码： | SOT-115J |
| 电源： | 24 V | 射频/微波设备类型： | WIDE BAND HIGH POWER |
| 子类别： | RF/Microwave Amplifiers | 最大压摆率： | 435 mA |
| 技术： | HYBRID | 端子面层： | Gold (Au) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BGD906,112 | NXP |
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RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT- |
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| BGD906L | NXP |
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CATV amplifier module |
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| BGD906MI | NXP |
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CATV amplifier modules |
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| BGE.0M.200.XAZ | ETC |
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CONN RCPT CAP FOR .0M. |
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| BGE.1M.200.XAZ | ETC |
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CONN RCPT CAP FOR .1M. |
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| BGE.2M.200.XAZ | ETC |
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CONN CAP FOR .2M. RCPT |
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| BGE.3M.200.XAZ | ETC |
获取价格 |
CONN CAP FOR .3M. RCPT |
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| BGE.4M.200.XAZ | ETC |
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CONN CAP |
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| BGE.5M.200.XAZ | ETC |
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CONN CAP FOR .5M. RCPT |
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| BGE.LM.200.XAZ | ETC |
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CONN CAP FOR .LM. RCPT |
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