5秒后页面跳转
BGD885,112 PDF预览

BGD885,112

更新时间: 2024-11-24 19:57:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 射频微波
页数 文件大小 规格书
8页 61K
描述
BGD885 - 860 MHz, 17 dB gain power doubler amplifier SFM 9-Pin

BGD885,112 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:SOT115D, 9 PIN
针数:9Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.72其他特性:LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
特性阻抗:75 Ω构造:MODULE
增益:16.5 dB最大工作频率:860 MHz
最小工作频率:40 MHz最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-20 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:SOT-115D电源:24 V
射频/微波设备类型:WIDE BAND MEDIUM POWER子类别:RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率:450 mA技术:HYBRID
Base Number Matches:1

BGD885,112 数据手册

 浏览型号BGD885,112的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BGD885,112的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BGD885,112的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BGD885,112的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BGD885,112的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BGD885,112的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BGD885  
860 MHz, 17 dB gain power  
doubler amplifier  
Product specification  
2001 Nov 02  
Supersedes data of 2001 Oct 25  

与BGD885,112相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BGD885_01 NXP

获取价格

860 MHz, 17 dB gain power doubler amplifier
BGD885_15 JMNIC

获取价格

860 MHz, 17 dB gain power doubler amplifier
BGD885_2015 JMNIC

获取价格

860 MHz, 17 dB gain power doubler amplifier
BGD902 NXP

获取价格

860 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier
BGD902,112 NXP

获取价格

RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT-
BGD902L NXP

获取价格

CATV amplifier module
BGD902L,112 NXP

获取价格

RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT1
BGD902MI NXP

获取价格

CATV amplifier modules
BGD904 NXP

获取价格

CATV amplifier modules
BGD904,112 NXP

获取价格

RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT-