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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOT-115D | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY | 特性阻抗： | 75 Ω |
| 构造： | MODULE | 增益： | 16.5 dB |
| JESD-609代码： | e4 | 最大工作频率： | 860 MHz |
| 最小工作频率： | 40 MHz | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最低工作温度： | -20 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码： | SOT-115D | 电源： | 24 V |
| 射频/微波设备类型： | WIDE BAND MEDIUM POWER | 子类别： | RF/Microwave Amplifiers |
| 最大压摆率： | 450 mA | 技术： | HYBRID |
| 端子面层： | Gold (Au) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BGD885,112 | NXP |
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BGD885 - 860 MHz, 17 dB gain power doubler amplifier SFM 9-Pin |
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| BGD885_01 | NXP |
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860 MHz, 17 dB gain power doubler amplifier |
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| BGD885_15 | JMNIC |
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860 MHz, 17 dB gain power doubler amplifier |
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| BGD885_2015 | JMNIC |
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860 MHz, 17 dB gain power doubler amplifier |
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| BGD902 | NXP |
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860 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier |
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| BGD902,112 | NXP |
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RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT- |
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| BGD902L | NXP |
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CATV amplifier module |
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| BGD902L,112 | NXP |
获取价格 |
RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT1 |
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| BGD902MI | NXP |
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CATV amplifier modules |
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| BGD904 | NXP |
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CATV amplifier modules |
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