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Datasheet > BGD812,112

BGD812,112 PDF预览

BGD812,112

更新时间： 2024-01-24 08:17:46

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		高功率电源射频微波
页数	文件大小	规格书
10页	84K
描述
BGD812 - 870 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier SFM 7-Pin

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BGD812,112 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	SOT115J, 7 PIN
针数：	7	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.71
其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY	特性阻抗：	75 Ω
构造：	MODULE	增益：	19 dB
最大工作频率：	870 MHz	最小工作频率：	40 MHz
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-20 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SOT-115J
电源：	24 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND HIGH POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	410 mA
技术：	HYBRID	Base Number Matches：	1

BGD812,112 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

ook, halfpage

M3D252

BGD812

860 MHz, 18.5 dB gain power

doubler amplifier

Product specification

2001 Oct 30

Supersedes data of 2001 Sep 07

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BGD812_01	NXP	860 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier	获取价格
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BGD812_2015	JMNIC	860 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier	获取价格
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BGD814,112	NXP	BGD814 - 870 MHz, 20 dB gain power doubler amplifier SFM 7-Pin	获取价格
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