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BGD812,112

更新时间： 2024-01-07 09:43:58

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		高功率电源射频微波
页数	文件大小	规格书
10页	84K
描述
BGD812 - 870 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier SFM 7-Pin

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BGD812,112 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	SOT115J, 7 PIN
针数：	7	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.71
其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY	特性阻抗：	75 Ω
构造：	MODULE	增益：	19 dB
最大工作频率：	870 MHz	最小工作频率：	40 MHz
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-20 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SOT-115J
电源：	24 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND HIGH POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	410 mA
技术：	HYBRID	Base Number Matches：	1

BGD812,112 数据手册

NXP Semiconductors

Product specification

860 MHz, 18.5 dB gain power doubler

amplifier

BGD812

PACKAGE OUTLINE

Rectangular single-ended package; aluminium flange; 2 vertical mounting holes;

2 x 6-32 UNC and 2 extra horizontal mounting holes; 7 gold-plated in-line leads

SOT115J

10 mm

scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

max.

min.

max.

UNIT

max.

4.15

3.85

0.51

0.38

2.04

2.54

44.75 8.2 6-32

44.25 7.8 UNC

mm 20.8 9.5

0.25 27.2

13.75 2.54 5.08 12.7 8.8

2.4 38.1 25.4 10.2 4.2

0.25 0.7 0.1 3.8

REFERENCES

JEDEC

EUROPEAN

PROJECTION

OUTLINE

VERSION

ISSUE DATE

IEC

JEITA

04-02-04

10-06-18

SOT115J

2001 Oct 30

1...4 5 678 9 10

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