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BGA2001

更新时间: 2024-10-27 22:27:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 射频和微波射频放大器微波放大器
页数 文件大小 规格书
12页 98K
描述
Silicon MMIC amplifier

BGA2001 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC, SOT-343R, 4 PIN
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.69
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
特性阻抗:50 Ω构造:COMPONENT
增益:19.5 dBJESD-609代码:e3
最大工作频率:1800 MHz最小工作频率:900 MHz
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:SOT-343R
电源:2.5 V射频/微波设备类型:NARROW BAND LOW POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers技术:BIPOLAR
端子面层:Tin (Sn)Base Number Matches:1

BGA2001 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon MMIC amplifier  
BGA2001  
90°  
+1  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
135°  
+0.2  
45°  
+2  
+0.5  
+5  
0.2  
0.5  
3 GHz  
1
2
5
180°  
0°  
0
100 MHz  
200 MHz  
5  
0.2  
500 MHz  
1.8 GHz  
1 GHz  
900 MHz  
2  
0.5  
45°  
135°  
1  
1.0  
90°  
MGS615  
VVS-OUT = 2.5 V; IVS-OUT = 4 mA; Zo = 50 .  
Fig.12 Common emitter input reflection coefficient (s11); typical values.  
90°  
135°  
900 MHz  
45°  
1 GHz  
1.8 GHz  
3 GHz  
500 MHz  
200 MHz  
100 MHz  
180°  
0°  
10  
8
6
4
2
135°  
45°  
MGS616  
90°  
VVS-OUT = 2.5 V; IVS-OUT = 4 mA; Zo = 50 .  
Fig.13 Common emitter forward transmission coefficient (s21); typical values.  
7
1999 Aug 11  

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