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BGA2001

更新时间: 2024-10-27 22:27:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 射频和微波射频放大器微波放大器
页数 文件大小 规格书
12页 98K
描述
Silicon MMIC amplifier

BGA2001 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC, SOT-343R, 4 PIN
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.69
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
特性阻抗:50 Ω构造:COMPONENT
增益:19.5 dBJESD-609代码:e3
最大工作频率:1800 MHz最小工作频率:900 MHz
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:SOT-343R
电源:2.5 V射频/微波设备类型:NARROW BAND LOW POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers技术:BIPOLAR
端子面层:Tin (Sn)Base Number Matches:1

BGA2001 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon MMIC amplifier  
BGA2001  
MGS609  
MGS610  
30  
25  
handbook, halfpage  
handbook, halfpage  
gain  
(dB)  
25  
gain  
(dB)  
G
20  
15  
10  
5
UM  
MSG  
MSG  
20  
G
UM  
15  
10  
5
0
0
0
0
2
4
6
8
10  
2
4
6
8
10  
I
(mA)  
I
(mA)  
VS-OUT  
VS-OUT  
f = 900 MHz.  
f = 1800 MHz.  
Fig.6 Gain as a function of bias current  
(IVS-OUT); typical values.  
Fig.7 Gain as a function of bias current  
(IVS-OUT); typical values.  
MGS612  
MGS611  
3
40  
handbook, halfpage  
handbook, halfpage  
NF  
min  
gain  
(dB)  
(dB)  
2.5  
(1)  
G
UM  
30  
20  
10  
0
2
1.5  
1
MSG  
(2)  
(3)  
(4)  
G
max  
0.5  
0
10  
1  
2
3
4
1
10  
10  
10  
10  
I
(mA)  
f (MHz)  
C
(1) f = 2400 MHz  
(2) f = 1000 MHz  
(3) f = 900 MHz  
(4) f = 1800 MHz.  
VVS-OUT = 2.5 V; IVS-OUT = 4 mA.  
Fig.8 Gain as a function of frequency;  
typical values.  
Fig.9 Minimum noise figure as a function of bias  
current (IVS-OUT); typical values.  
1999 Aug 11  
5

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