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BFS17-TP

更新时间： 2024-11-21 19:59:23

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	83K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-3

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BFS17-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.01
最大集电极电流 (IC)：	0.025 A	基于收集器的最大容量：	1.5 pF
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1000 MHz
Base Number Matches：	1

BFS17-TP 数据手册

M C C

BFS17

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

ꢀ

Features

NPN

Transistor

25 mA 15 Volts

300 mWatts

NPN transistor in a plastic SOT-23 package.

A wide range of RF applications such as:

Mixers and oscillators in TV tuners

RF communications equipment.

Marking Code: E1P

Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Noted

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Value

2.5

Unit

SOT-23

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

DC Collector Current

Peak Collector Current

Total Power Dissipation

I_CM

tot

300

^OC

up to T =70^OC*

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature

Range

-55~+150

Thermal Characteristics

Symbol

Characteristic

Value

Unit

th-j-s

Thermal Resistance, Junction to Soldering Point

(up to Ts=70^OC*)

260

K /W

DIMENSIONS

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Noted

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

NOTE

Symbol

Characteristic

Min

Typ Max

Unit

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

Off Characteristics

I_CBO

Collector Cutoff Current

(V_CB=10V,I_E=0)

DC Current Gain

----

h_FE

.100

1.12

.180

.51

---

(I =2.0mAdc, V_CE=1.0Vdc)

(I =25mAdc, V_CE=1.0Vdc)

.085

.37

f_T

Transition Frequency

(I =100uAdc, V_CE=1.5Vdc,

f=200MHz)

Collector Capacitance

---

1.0

---

GHz

Suggested Solder

Pad Layout

C_C

C_E

---

0.8

---

1.5

2.0

---

.031

.800

(I =0,V_CB=10Vdc, f=1.0MHz)

Emitter Capacitance

(I =0, V _EB=0.5V, f=1.0MHz)

.035

.900

C_RE

Feedback Capacitance

(I =1.0mA, V_CE=5.0V, f=1.0MHz )

0.65

.079

2.000

inches

Noise Figure

(I =2.0mA, V_CE=5.0V,

---

4.5

---

R =50OHM,f=1.0MHz)

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: 2

2003/04/30

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